Transistor IGBT 2MBI100U4A-120 1200V 100A 1 module de puissance

L'excellence de la commutation de puissance industrielle

Le module de puissance 2MBI100U4A-120 incarne les standards de qualité les plus stricts en matière de semi-conducteurs de puissance. Destiné aux applications où aucune défaillance n'est tolérée, ce module double IGBT de 100A et 1200V offre une précision de découpage du signal électrique hors norme. Sa structure haut de gamme limite les perturbations électromagnétiques (EMI), protégeant ainsi l'ensemble des modules électroniques adjacents au sein de votre installation.

Matériaux avancés et géométrie de précision

La sélection rigoureuse des substrats céramiques isolants confère à ce module 1 module une conductivité thermique exceptionnelle. Les ingénieurs apprécieront la constance de ses caractéristiques électriques, même lorsque la température de jonction approche de ses limites opérationnelles.

Paramètres mécaniques et électriques